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三星電容器的生產(chǎn)日期可通過標(biāo)簽編碼識(shí)別，其質(zhì)量需結(jié)合生產(chǎn)日期、外觀工藝、防偽標(biāo)記及正規(guī)渠道綜合判斷，具體分析如下： 一、生產(chǎn)日期的識(shí)別方法 三星電容的生產(chǎn)日期通常以字母和數(shù)字組合的...[查看詳情]
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鉭電容在特定場(chǎng)景下可替代MLCC電容，但在高頻、高壓、極性敏感或需要極小容值的場(chǎng)景中不適用。以下是對(duì)兩者特性的詳細(xì)對(duì)比及替代可行性分析： 鉭電容與MLCC電容的核心特性對(duì)比 1、電容值與封裝...[查看詳情]
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要通過太誘電感的阻抗曲線選擇最佳型號(hào)，需重點(diǎn)關(guān)注自諧振頻率(SRF)、阻抗峰值及頻率特性，并結(jié)合具體應(yīng)用場(chǎng)景的電流、頻率和封裝需求進(jìn)行綜合評(píng)估。以下是具體步驟和分析： 1. 理解阻抗曲線的核心特...[查看詳情]
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貼片電容104k中的“k”主要表示電容值的容差（精度），具體含義如下： 1.“k”代表容差等級(jí) 在電容參數(shù)中，字母通常用于標(biāo)注容差范圍，即實(shí)際電容值與標(biāo)稱值的允許偏差。 “k”...[查看詳情]
瀏覽次數(shù) : 138?2018 深圳市昂洋科技有限公司 版權(quán)所有 All Rights Reserved粵ICP備17063469號(hào)
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